パッケージに精密な反射鏡を採用することにより、従来の砲弾型LEDの2倍以上の軸放射強度を実現しました。
光の利用効率についても、砲弾型が30〜40%程度であるのに対し、発光素子から放射されたほとんどすべての光を、一旦後方にある反射鏡で反射させ、制御された光として外部へ放射させるため、90%以上の光利用効率を得ることができます。
インサート成型による作成のため、砲弾型に比べて、光軸のズレが少ないのも特徴です。
【スペック】
発光色:赤外線
順電圧VF(MAX):2.3V(IF:20mA)
放射強度IE(Typ):220mW/sr(IF:50mA)
ピーク発光波長(λP):850nm
発光出力PO(Typ):18.0mW(IF:50mA)
半値角度:±7.0°
※リフロー半田は素子破壊の恐れがあるため、手半田(320度以下で3秒以下)推奨です。